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当社の３次元ＬＳＩ積層技術は、「低コスト・省電力・超小型・超高速・大容量・低発熱」の半導体デバイスが、実現できるという特徴があります。
さらに、異種ＬＳＩチップの積層も可能なことから、これらの技術の融合で高度映像処理技術が実現します。
また、１万本以上の並列バスラインの実現が可能なので、低電力の超高速演算が容易に実現でき、このような技術を情報家電やコンピュータに適用すれば省電力の電子機器が可能になります。 |
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当社の３次元積層技術は、ほとんどすべての半導体デバイス技術分野に適用でき、新しい飛躍的な性能を有する半導体デバイスを実現します。
具体的には、下記のような分野に適用されます。
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AV機器、ゲーム
機、ビデオカメラ |
全てのPC、プロセッサの心臓部 |
高性能サーバ、次世代のCPU |
DRAM､SRAM、
フラッシュ |
デジタル機器には不可欠 |
少電力、小型化には必須 |
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当社では、３次元ＬＳＩ積層プロセスに関連する設計からシステム集積化までを事業範囲としております。
特に３次元積層工程はオリジナルな技術構築を目指し、最終的にはこの分野でのリーダシップを取ります。半導体ウェハの拡散プロセスと半導体パッケージプロセスは外部でのファウンドリ加工とし、次の５つのキーテクノロジー部分のみ当社のオリジナルの技術を付加して３次元積層ＬＳＩの実現を図ります。 |
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当社では、３次元積層LSI技術アプリケーションの第一ステップとして、SiP（システムインパッケージ）タイプのモジュール分野を考えております。
２次元のSiPと３次元のデバイスとの組み合わせが第一ステップの位置づけになります。従来技術の延長と３次元積層デバイスとの融合になります。３次元積層LSIデバイスは単体のＬＳＩと同じ機能として考えれば、通常の設計ラインにそのまま乗せることが可能です。
３次元LSI設計ツールに関しては、オリジナルな技術と組み合わせて既存の設計ツールとの親和性を重視する方向です。 |
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